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PDPに関する特許についてのご説明(その5)

昨日に引き続きまして、伊東です。
今年は梅雨が長引いているのでしょうか、
明日からの三連休も天気がよくないらしいですね。

そんなわけで、昨日の内容に関してそれぞれの放電に対して
どのような意味を持って行っているのかについて今回は説明していきたいと思います。
下に新駆動波形の半周期分の放電について説明するための図を掲載します。


図MNU-0002-3 半周期分の駆動波形に対する放電

上図に示したように、提案駆動波形ではt = t0 ~ t4におけるそれぞれのセル内部
電界並びに、放電の様子について検討する必要があります。

まず、t = t0における電界は直前の放電により、直後の電圧が印加される電極表面に
印加電圧と逆極性の電界が形成されています。
具体的には、t = t1の時点で印加されている正電圧の逆極性なので負電界となります。
さらに、t = t0時点ではセル内に荷電粒子は浮遊していない状態とします。

続いて、t = t1の時点ではサステインパルスが印加されているため
放電が発生しています。この放電は、内部に蓄積された壁電荷と
外部印加電圧との総和により放電開始電圧以上となっているため
放電が発生しています。

t = t2ではサステインパルスが印加終了しているため
放電により蓄積された壁電荷以外の浮遊荷電粒子等(プライミング粒子)が
再結合することによる放電、ならびに壁電荷同士が再結合する
自己消去放電が発生し、放電が生じています。

t = t3において、壁電荷蓄積パルスが印加されているため
弱い放電が生じていますが、サステイン放電と比較して弱い放電となっています。
実はここがポイントです。
この放電は、従前はどうしても強いものとなってしまうため
消費電力低減効果が小さいものとなっていました。
今回は、この放電を主放電としないことで放電電流量を大幅に削減し
TOTAL消費電力を削減しました。

t = t4 では、t = t0と同様にプライミング粒子が消滅している状態です。
以上で、今回の特許権利化に成功した放電波形の説明となります。


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はじめまして!

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株式会社MNUで新しくブログを始めます。
主に、プログラムに関する技術的なことを中心に社員が持ち回りで書いていきます。
皆様のお役に立てれば幸いです。

どうぞ、これからよろしくお願いします。


ここから下はコードを表示するサンプルです。

int x = foo(); /* This is a comment This is not code Continuation of comment */ int y = bar(); // This is line 4. foo(); bar(); baz(); boo(); far(); faz(); shfor target do WORKDIR=$(mktemp -d "$EXTRACTHOMEDIR"/XXXXXX) case "$target" in *.[Tt][Gg][Zz]|*.[Tt][Aa][Rr].[Gg][Zz]|*.[Tt][Aa][Rr].[Zz]) tar vzxf "$target" -C "$WORKDIR" move_to_currentpath "$WORKDIR" "$target" ;; *.[Tt][Bb][Zz]|*.[Tt][Aa][Rr].[Bb][Zz]2) tar vjxf "$target" -C "$WORKDIR" move_to_currentpath "$WORKDIR" "$target" ;; *.[Gg][Zz]) gzip -d "$target" move_to_currentpath "$WORKDIR" "$target" ;; *.[Zz][Ii][Pp]|*.[JjWw][Aa][Rr]) check_required_program unzip /usr/p…